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测量原理（Measurement Principle）

本机采用白光共焦传感器扫描法进行表面形貌测量，经过计算得到Wafer几何尺寸特征值。

功能设计(Function)

本机适用于测量6"、8"和12"硅（Si）、玻璃(Glass)、碳化硅（SIC）、陶瓷(Ceramic)、金刚石(Diamond)、蓝宝石(Sapphire)、碳酸锂(LT)、铌酸锂(LN)、砷化镓(GaAs)、等二、三、四代半导体材料 & 金属材料(Metal)的微观表面形貌特征。可以精确获取THK、TTV、TIR、WARP、SORI和BOW等几何参数。

性能参数(Specification)

Parameter	Value
分辨率（Z axis Resolution）	0.02μm
传感器重复性（Repeatability）	0.20μm
测量精度（Accuracy）	±0.5μm（双抛片）
测量点数（Measured Data Points）	400~10000
厚度精度（Thickness）	±0.5μm（双抛片）
Mapping50/ 12英寸速度(Speed)	10 Minuts/P（米字模式）

 

环境要求（Enviromental Requirements）

仪器外扩/重量：L1300*W1300*H1700(MM)/1000Kg

电源：AC220V/50HZ/1KW（带地线/空间无强磁干扰）

洁净度：万级(环境内无酸无碱（气）)

温/湿度：23℃±2℃/≤70%

操作界面(Main Interface)

操作界面如下图所示，界面简单，便于操作。

 

 

 

结果界面(Result Interface)

 

 

 

硬件组成(Hardware Composition)

本机由光源系统、运动平台系统、机械支撑系统、控制及计算系统四部分构成。